用离子束分析技术对化薄膜进行表征
M S Rihawy1, B Abdallah1, A Wassouf1
1Department of Physics, Atomic Energy Commission, P.O. Box 6091, Damascus, Syria.
概括
这项研究使用离子束分析分析化 (AlN) 薄膜. 基质温度显著影响AlN薄膜深度配置和密度,观察到氧含量微不足道.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 薄膜技术 薄膜技术
- 表面分析 表面分析
背景情况:
- 化 (AlN) 薄膜对于各种电子和光学应用至关重要.
- 了解AlN片的深度分析和成分对于优化其性能至关重要.
- 真空弧放电是一种用于沉积薄膜的常见技术.
研究的目的:
- 通过真空弧放电沉积的AlN薄膜的深度剖析和组成进行调查.
- 为了确定基板温度对AlN薄膜性能的影响.
- 审查离子束分析技术在薄膜特征化方面的优势.
主要方法:
- 在不同温度下使用真空弧度放电在基板上沉积AlN薄膜.
- 使用同时弹性反向散射 (EBS) 和核反应分析 (NRA) 的深度分析.
- 使用联合扫描电子显微镜/能量分散式X射线 (SEM/EDX) 技术进行组成和厚度分析.
主要成果:
- 确定了AlN薄膜中的Al/N比率.
- 发现片中的氧含量可以忽略不计.
- 分析了基板温度对AlN薄膜深度概况和密度的影响.
结论:
- 离子束分析技术 (EBS和NRA) 对于深度分析AlN薄膜是有效的.
- 基板温度是影响AlN薄膜特性的一个关键参数.
- 该研究强调了联合分析技术对于全面薄膜表征的实用性.


