对于高性能碳基无机矿太阳能电池的CsPbI3薄膜的空间选择性缺陷管理
Hailiang Wang1, Qixian Zhang1, Zedong Lin2
1School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China.
Science bulletin
|February 10, 2024
概括
一个新的空间选择性缺陷管理策略有效地使酸 (CsPbI3) 矿膜中的缺陷无效. 这种方法提高了CsPbI3矿太阳能电池的光伏性能和稳定性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 太阳能光伏发电是如何实现的
- 固态化学 固态化学
背景情况:
- 化 (CsPbI3) 矿膜中的缺陷,包括在表面,接口和粒度边界 (GB) 的缺陷,显著阻碍了光伏性能.
- 当前的缺陷被动化策略往往难以全面地解决整个电影中分布的缺陷.
研究的目的:
- 开发一种空间选择性缺陷管理 (SSDM) 策略,用于在CsPbI3矿膜中进行全面的缺陷被动化.
- 为了提高基于CsPbI3的矿太阳能电池 (PSC) 的光伏性能和稳定性.
主要方法:
- 对于SSDM,使用皮佩拉-1,4-二四甲酸 (PZD(BF4) 2) 溶液进行了简单的一步治疗.
- 该策略利用PZD2+离子和BF4-离子的差异性质,以准薄膜内的各种位置的缺陷,包括埋藏的接口和表面.
主要成果:
- 该SSDM策略有效地使CsPbI3膜的表面,埋面接口和粒度边界的缺陷无效.
- 被动化导致了更好的薄膜质量,增强了相位稳定性,优化了能量水平对齐,并促进了载体运输.
- 使用碳电极 (C-PSC) 制造的CsPbI3矿太阳能电池 (PSC) 实现了18.27%的功率转换效率,并在85°C下500小时后保持了65%的初始性能.
结论:
- 开发的SSDM策略提供了一种全面的方法,用于CsPbI3矿膜中缺陷被动化.
- 这种方法显著提高了CsPbI3 C-PSC的性能和运行稳定性,将其定位为有效的太阳能转换的有希望的技术.


