在Ni₈₀Fe₂₀/Nd双层中对吉尔伯特阻尼的模拟研究:与实验进行比较

科学领域:

• 这就是Spintronics.
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学

背景情况:

• 了解磁性缓对于自旋电子设备的性能至关重要.
• -铁 (Py) 和 (Nd) 双层对旋转电子应用具有前景.

研究的目的:

• 研究Py/Nd双层中有效阻尼常数 (αeff) 的厚依赖性.
• 探索接口混合和旋转积累在磁性减缓中的作用.
• 检查这些双层中的磁阻尼的温度依赖性.

主要方法:

• 实验测量了有效的减压.
• 使用自旋积累和局部磁化模型的自我一致的解决方案进行计算模拟.
• 对温度依赖的磁性缓冲的分析.

主要成果:

• 磁阻尼显示出强烈依赖底层厚度,与实验数据一致.
• 由于自旋的增强缩需要分布在两个Py单层上,这表明接口混合.
• 热诱导的旋转波动越来越多地影响磁阻尼,随着温度和厚度的上升.

结论:

• 接口混合显著影响Py/Nd双层中的磁阻尼.
• 新的厚度和温度是控制磁阻尼和旋转动态的关键因素.
• 这些发现为设计具有定制磁性特性的先进自旋电子设备提供了洞察力.