提高近红外发光二极管的光学效率,使用带宽分布式布拉格反射器与ALAs缓冲器

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术 纳米技术

背景情况:

• 近红外发光二极管 (NIR-LED) 在各种应用中至关重要.
• 提高NIR-LED光学效率是一个持续的研究挑战.
• 分布布拉格反射器 (DBR) 是提高LED性能的关键组件.

研究的目的:

• 为850nm NIR-LED开发一个先进的宽带分布式布拉格反射器 (DBR).
• 为了提高850nm NIR-LED的光学效率和输出功率.
• 研究基于纳米材料的多重结构和缓冲层对DBR性能的影响.

主要方法:

• 使用两个以800nm和900nm为中心的DBR制造一个联合的850nm中心的宽带DBR.
• 加入一个反射的化 (AlAs) 缓冲层,以减少重叠反射.
• 综合DBR的光学特性和与传统DBR的比较.
• 将DBR集成到850nm NIR-LED芯片中,并测量输出功率.

主要成果:

• 与传统的DBR相比,联合DBR的峰值频段更宽.
• 通过减少重叠反射,AlAs缓冲层显著增加了峰值带宽.
• 结合DBR和ALA缓冲层的NIR-LED芯片实现了20.5mW的输出功率.
• 这比传统的850nm DBRs (14.5mW) 改进了>40%.

结论:

• 综合宽带DBR设计有效地提高了850nmNIR-LED中的光学效率.
• DBR波长和AA缓冲层的战略组合对于最大化宽带效应至关重要.
• 这种先进的DBR技术为NIR-LED性能和潜在应用提供了显著的改进.