极性介导的抗溶剂控制可实现高效的基于兰化物的近红外矿LED
Jia-Lin Pan1, Wan-Shan Shen1, Sheng-Nan Li1
1Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, Suzhou 215123, China.
Nano letters
|February 23, 2024
概括
研究人员通过增加 (Yb3+) 兴奋剂,在矿量子点中增强了近红外 (NIR) 光发. 一种新的策略提高了材料稳定性,使NIR发光二极管的效率创纪录.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 量子点技术 量子点技术是一种量子点技术.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 合兰化离子,特别是 (Yb3+),成矿量子点 (Yb3+:CsPb(Cl1-Br) 3) 是有效的近红外 (NIR) 光发 (>950 nm) 的关键.
- 较高的Yb3+兴奋剂增强了发光强度,但往往会导致由于空缺而导致不稳定.
研究的目的:
- 开发一种策略,使高Yb3+的兴奋剂比率与矿量子点中改进的材料稳定性相协调.
- 为了优化Yb3+-doped矿量子点的制造,提高NIR发射和设备性能.
主要方法:
- 用一个以极性为媒介的抗溶剂操纵策略来控制溶液极性.
- 精确控制溶液极性,旨在增加矿基质的均性和减少陷密度.
- 设计的Yb3+:CsPb(Cl1-Br)3被制造成NIR发光二极管 (LED).
主要成果:
- 在Yb3+中实现了最高的Yb3+合金比率 (30.2%):CsPb(Cl1-Br) 3,同时保持了材料稳定性.
- 与之前的研究相比,在990nm的电解发光强度增加了2倍.
- 制造的NIR-LED在990nm时具有8.5%的峰值外部量子效率 (EQE),这是矿NIR-LED在950nm以上所报告的最高值.
结论:
- 极性介导的抗溶剂策略有效地克服了高Yb3+兴奋剂和材料稳定性之间的权衡.
- 工程Yb3+:CsPb(Cl1-Br) 3显示出高性能NIR光电子应用的巨大潜力.
- 这项工作为基于矿的NIR光辐射设定了新的基准.


