在单晶6H-SiC上进行5秒激光诱导相变
Hongsheng Quan1, Ruishi Wang1, Weifeng Ma1
1The MIIT Key Laboratory of Complex-Field Intelligent Exploration, School of Optics and Photonics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China.
Micromachines
|February 24, 2024
概括
碳化 (SiC) 的五秒激光切除揭示了不同的表面转换和修改值. 高能辐射导致材料分解和氧化,影响SiC微加工质量.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 激光物理 激光物理
- 表面工程是什么?表面工程是什么?
背景情况:
- 碳化 (SiC) 具有出色的性能,使其在各种研究领域具有价值.
- 五秒激光微加工为加工SiC提供了高质量,高效的方法.
研究的目的:
- 通过使用单脉冲秒激光照射,研究6H-SiC在不同表面上的除机制.
- 在不同激光能量下确定结构转换和修改区域的门.
主要方法:
- 利用微拉曼光谱和能量分散光谱 (EDS) 来分析材料变化.
- 采用光学显微镜来研究废弃坑的几何结构.
- 基于不同激光流动的切除坑直径计算的转换和修改值.
主要成果:
- 对Si和C表面的转变值分别为5.60 J/cm2和6.40 J/cm2.
- 修改值为2.26 J/cm2 (Si表面) 和2.42 J/cm2 (C表面).
- 低能辐射没有显示相变,而高能辐射诱导了分解,氧化和新相形成,结构转换分布不均.
结论:
- 这项研究阐明了6H-SiC的高质量激光加工过程中的内部进化机制.
- 这些发现为优化SiC的5秒激光微加工提供了洞察力.
- 这项研究预计将推动基于SiC的微电机系统 (MEMS) 设备的开发.
