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Miaomiao Wang1

  • 1IBM Research Albany, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA.

Micromachines
|February 24, 2024
PubMed
概括

在先进的CMOS节点中,Gate-All-Around (GAA) 纳米板 (NS) 场效应晶体管 (FET) 将取代FinFET. 本综述详细介绍了GAA NS FET中的BTI,HCI和TDDB等可靠性挑战,这是由于新的架构和扩展.