大面积的n-TOPCon太阳能电池的性能,采用由PECVD方法准备的选择性聚Si基消极接触器
Zhaobin Liu1,2, Chunlin Guo3, Ya Liu1,2
1School of Materials Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China.
Materials (Basel, Switzerland)
|February 24, 2024
概括
使用SiO面具的三步方法实现了最高的n-TOPCon太阳能电池效率 (24.85%). 三步和四步两种方法都为选择性发射技术提供了可比的电气性能.
科学领域:
- 太阳能光伏和可再生能源
- 半导体设备物理 半导体设备物理
- 太阳能电池的材料科学
背景情况:
- 选择性发射器 (SE) 技术对于优化n型道氧化物被动接触 (n-TOPCon) 太阳能电池的被动化和接触性能至关重要.
- 用于SE结构的制造方法和掩盖层显著影响太阳能电池性能.
研究的目的:
- 研究和比较使用三步和四步方法制造的n-TOPCon太阳能电池与 (P) -SE结构的电气性能.
- 评估不同面膜层 (SiO,SiN,SiON) 和制造步骤对太阳能电池效率和稳定性的影响.
主要方法:
- 使用SiO,SiN和SiON罩层的三步方法,在后面使用P-SE结构的n-TOPCon太阳能电池的制造.
- 使用玻璃 (PSG) 的四步方法制备具有P-SE结构的n-TOPCon太阳能电池.
- 在不同激光功率下对电气性能进行比较分析,包括太阳能电池效率 (E),开放电路电压 (V) 和填充系数 (FF).
主要成果:
- 在三步方法中,具有20W激光功率的SiO面罩 (O2组) 产生了最高的太阳能电池效率24.85%,与对照组相比,V和FF得到了改进.
- 激光功率为20W的四步方法 (P2组) 达到24.82%的最大效率,与对照组相比,显示出增强的V和FF.
- 虽然四步方法显示出优越的稳定性,但三步方法实现了可比的全尺度电气性能和更高的峰值效率.
结论:
- 三步方法,特别是使用SiO面具和优化的激光功率,可以在n-TOPCon太阳能电池中实现出色的电性能,与四步方法相比.
- 这项研究为在n-TOPCon太阳能电池的大规模生产中优化后侧选择性发射器技术提供了宝贵的见解.
- 面具材料和制造方法的选择显著影响了效率,稳定性和生产可扩展性之间的权衡.
