从非磁性1T-PdO2单层通过空位缺陷和兴奋剂实现新的2D自旋材料
D M Hoat1,2, Vo Van On3, Phan Van Huan4
1Institute of Theoretical and Applied Research, Duy Tan University Ha Noi 100000 Vietnam dominhhoat@duytan.edu.vn.
RSC advances
|February 29, 2024
概括
这项研究在非磁性1T-PdO2单层中使用空位和兴奋剂来设计磁性. 这为先进的应用创造了新的二维 (2D) 螺旋电子材料,具有可调节的磁性.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 量子化学 是一个量子化学.
背景情况:
- 非磁性二维 (2D) 材料对自旋电子应用提出了挑战.
- 这些材料中的工程磁性对于开发新型电子设备至关重要.
- 1T-PdO2单层是一个有前途的非磁性半导体候选.
研究的目的:
- 探索基于空位和兴奋剂的策略,以诱导1T-PdO2单层中的磁性.
- 为了研究这些改性材料在自旋电子应用中的潜力.
- 了解工程1T-PdO2系统中控制磁性的基本机制.
主要方法:
- 使用PBE和HSE06函数进行密度函数理论 (DFT) 计算.
- 在1T-PdO2单层中模拟单个空缺位置 (Pd和O).
- 对各种过渡金属 (V,Cr,Mn,Fe) 和非金属 (B,C,N,F) 的兴奋剂效应的研究.
主要成果:
- 单个Pd空位诱导半金属性,磁矩为3.95μB,主要是由于O原子.
- O空位减少了带间隙,但保留了非磁性特征.
- 用过渡金属 (V,Cr,Mn,Fe) 进行兴奋剂会产生稀释的磁半导体行为,其磁矩为1.003.00μB.
- 用B,N和F进行兴奋剂会诱导显著的磁化,导致半金属或稀释的磁性半导体状态.
- 由于强烈的电子杂交,C兴奋剂不会诱导磁性.
结论:
- 空位和兴奋剂工程是将磁性引入非磁性1T-PdO2单层的有效策略.
- 电子和磁性特性可以通过剂选择和轨道相互作用来调整.
- 工程设计的1T-PdO2单层显示出对未来的自旋电子设备应用的重大前景.


