/NbS2/BSe heterostructure,

S T Nguyen1, T T T Huong2,3, N X Ca2

  • 1Faculty of Electrical Engineering, Hanoi University of Industry Ha Noi 100000 Vietnam nguyensontung@haui.edu.vn.

Nanoscale advances
|February 29, 2024
PubMed
概括

我们使用NbS2和BSe单层设计了一个稳定的金属半导体 (M-S) 纳米异构结构. 这种M-S接触表现出增强的光学吸收和低电阻,使其适合纳米电子设备.