太阳盲光探测器阵列是由编织战略制造的
Ying Zhou1, Zhenfeng Zhang1, Xun Yang1
1Henan Key Laboratory of Diamond Optoelectronic Materials and Devices, Key Laboratory of Materials Physics, Ministry of Education, School of Physics and Microelectronics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China.
ACS nano
|March 1, 2024
概括
研究人员开发了新的太阳盲光探测器阵列,使用胺氧化微带. 这种创新的设计简化了读出电路,并为成像应用提供了出色的性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 太阳盲光探测器 (SBPD) 对于成像应用至关重要,需要先进的材料来实现高性能.
- 氧化 (Ga2O3) 是一个有前途的材料,由于其超宽带隙和成本效益高的合成.
研究的目的:
- 使用Sn-dopedβ-Ga2O3微带制造和描述太阳盲光探测器阵列.
- 研究一种用于简化光探测器阵列读出电路的新型编织网格结构.
主要方法:
- 制造Sn-dopedβ-Ga2O3微带,具有导电核心和高电阻耗尽表面层.
- 将微带编织成一个网格结构,交叉点作为光探测器像素.
- 制造的SBPD阵列的光电子属性的表征.
主要成果:
- 实现了0.5 pA的暗电流,显示了最小的信号泄漏.
- 为了快速检测,获得了38.8微秒的快速响应时间.
- 报告了10^8的优异的光/黑暗电流比和300 A/W的高响应能力.
结论:
- 开发的Sn-dopedβ-Ga2O3微带阵列提供了卓越的太阳盲检测能力.
- 编织网格设计简化了读出电路,使其适合于实际的成像系统.
- 这项工作为制造先进的光探测器阵列提供了一个可行的策略,从而推进成像技术.
