概括
使用快速化增长 (RMG) 方法制造了高性能 (GeSn) 光探测器. 这些设备表现出低暗电流和高响应性,证明了它们对基于的先进光电子技术的潜力.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 光子学对于集成电路至关重要.
- -锡 (GeSn) 合金为红外应用提供可调节的带隙.
- 在基板上开发高性能基于GeSn的设备仍然是一个挑战.
研究的目的:
- 在绝缘体上使用快速化增长 (RMG) 方法制造 GeSn 侧面 p-i-n 光探测器 (PD).
- 描述这些GeSn PDs的光学和无线电频率性能.
- 为了证明RMG培养的GeSn在高性能基光电子设备中的潜力.
主要方法:
- 在绝缘体上制造 GeSn 侧面 p-i-n 光探测器.
- 使用快速化增长 (RMG) 方法增长GeSn活性层.
- 暗电流的特征,在1550,1630和2000nm的响应度,以及3dB的带宽.
主要成果:
- 有5.3%Sn含量的GeSn PDs已经成功制造出来.
- 实现了低暗电流和高响应度 (0.48,0.47,0.24 A/W在1550,1630,2000 nm) 的结果.
- 证明了大约3.8GHz的3dB带宽.
结论:
- 通过RMG方法,可以生长无缺陷的GeSn层,适用于光电子应用.
- 实现了具有出色响应能力和带宽的高性能横向GeSn PD.
- 由RMG培养的GeSn是先进的基于的光电子设备的有希望的材料.
