概括
控制系统参数对于微型和纳米设备制造至关重要. 这项研究引入了极紫外线光刻 (EUVL) 扫描仪的新方法,以精确管理参数,显著减少偏差并提高产量.
科学领域:
- 半导体制造业 半导体制造业
- 光学工程是指光学工程.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 石版印刷对于微型和纳米设备的制造至关重要.
- 缩小器件尺寸放大了参数变化对光刻结果的影响.
- 有效控制石版参数对于满足工艺要求至关重要.
研究的目的:
- 分析影响极紫外线光刻 (EUVL) 扫描仪的关键物理因素.
- 建议使用光强度波动进行参数预算分析的新方法.
- 建立参数波动和成像结果之间的映射模型.
主要方法:
- 分析EUVL光源,照明和投影系统中的物理因素.
- 基于对光强度波动的叠加的预算分析方法的开发.
- 由于参数变化而导致的光强度波动特征的理论推导.
- 建立一个映射模型,通过光强度分布将参数波动与成像结果联系起来.
主要成果:
- 建议在EUVL扫描仪中进行参数预算分析的方法.
- 理论公式得出了光强度波动的特征.
- 一个映射模型将参数波动连接到成像结果.
- 拟议的方法实现了与收益率要求的平均偏差小于0.1%.
结论:
- 开发的预算分析方法可以精确控制EUVL扫描仪的参数.
- 这种方法允许对参数控制范围进行动态更新,以适应独特的扫描仪特性.
- 该方法为 lithography 设备的开发和参数监测提供了方向.
