在波长为5μm的反反射微观结构的GaSe的激光诱导损伤值

科学领域:

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• 激光物理 激光物理

背景情况:

• 化 (GaSe) 是非线性光学应用的一个有前途的材料.
• 反反射微结构 (ARM) 对于提高光学设备性能至关重要.
• 了解表面修改对材料性能的影响至关重要.

研究的目的:

• 在GaSe晶体上制造反反射微观结构 (ARM),使用秒激光切除.
• 为了评估这些ARM在广泛的波长范围内的反反射性能.
• 评估ARM对GaSe在5微米的激光诱导损伤值 (LIDT) 的影响.

主要方法:

• 在GaSe表面上进行ARM制造,优化了femtosecond激光切除.
• 用光谱分析来确定反反射带宽 (4-16μm).
• 激光诱导损伤值 (LIDT) 测试使用5μmFe:ZnMgSe激光器,脉冲持续时间为135 ns.

主要成果:

• ARM提供了4-16μm范围内的反反射.
• 对GaSe基板的LIDT值测定为56±6 MW/cm2和51±9 MW/cm2.
• 手臂显示了与基板相比较的LIDT值 (54±6 MW/cm2和52±7 MW/cm2).
• 高质量的ARM显示LIDT (58-60MW/cm2) 比低质量的ARM (50-52MW/cm2) 高.
• 增加的含量可能会导致高质量的ARM中较高的LIDT.

结论:

• 五秒激光消光的ARM对GaSe的宽带反反射有效.
• 制造的ARM不会显著降低GaSe的LIDT.
• 所有经过测试的ARM都适合开发可调节的中红外非线性光学转换器.