线AlGaN-

Optics express
|March 5, 2024
PubMed
概括

研究人员使用新的拓角结构增强了深紫外线发光二极管 (DUV LED). 这种设计显著提高了内部量子效率 (IQE) 和光提取效率 (LEE),以提高性能.