Schottky Barrier Diode
MOS Capacitor
P-N junction
Metal-Semiconductor Junctions
Non-ohmic Devices
Metallic Solids
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Taeran Lee1, Kil-Su Jung2,3, Seunghwan Seo1,4,5
1Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, South Korea.
这项研究介绍了一种新的负差异阻力 (NDR) 设备,没有接口,简化了低功耗多值逻辑计算的制造. 新设计使三元逆变器和存储器成为先进计算技术必不可少的基础.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: