基于GaN的激光二极管中脱位演变的纳米沉积研究
Jingjing Chen1, Xujun Su2, Guobing Wang3
1Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Ruoshui Road 398, Suzhou Industrial Park, Suzhou, 215123, China.
Discover nano
|March 7, 2024
概括
纳米沉积引入了基于化 (GaN) 的激光二极管 (LD) 的位移. 在AlGaN/InGaN多层中,张力层有效地阻断了位移运动,减少了设备内的密度.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 基于化 (GaN) 的激光二极管 (LD) 对于光电子应用至关重要.
- 了解脱位行为对于提高LD性能和可靠性至关重要.
- 纳米沉积是一种用于研究材料变形和缺陷生成的技术.
研究的目的:
- 研究基于GaN的LD中的纳米沉积引起的位移的滑动系统和运动行为.
- 分析AlGaN/InGaN多层在阻碍脱位传播中的作用.
- 为了确定应变层对装置内脱位密度的影响.
主要方法:
- 采用纳米沉积,在基于GaN的LD中引入位移.
- 分析诱导失位的伯格斯向量,特别是b = 1/3<1103>.
- 识别激活的滑动系统,包括金字塔{1123}<1103>,{1013}<1103>和基底{0001}<1100>.
- 检查AlGaN/InGaN多层对位运动的影响.
主要成果:
- 在金字塔和基底滑动系统上引入了Burgers向量b = 1/3<1103>的位移.
- 多层AlGaN/InGaN产生的不匹配应力阻碍了脱位滑动.
- 观察到从多层的上部到下部区域的脱位密度显著下降.
- 在金字塔式滑动平面上的a+c位移主要被张力层阻塞.
结论:
- 这项研究阐明了纳米缩的基于GaN的LD中的滑动系统和脱位运动动态.
- 紧张的AlGaN/InGaN多层有效地起到屏障作用,减轻脱位传播.
- 这些发现强调了层应变工程对于增强基于GaN的设备的结构完整性和性能的重要性.
