在二维单层横向超级网格上选择区域的原子层沉积
Jeongwon Park1, Seung Jae Kwak2, Sumin Kang1
1Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, Republic of Korea.
Nature communications
|March 8, 2024
概括
一种基于超级晶格的新型区域选择性原子层沉积 (AS-ALD) 实现了10nm以下的图案分辨率. 这种先进的技术使用2D MoS2-MoSe2超网格模板来提高下一代设备制造的选择性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 对于高速,低功耗的电子设备来说,先进的图案设计至关重要.
- 区域选择性原子层沉积 (AS-ALD) 提供了直接的材料沉积,但面临着分辨率和选择性挑战.
- 现有的AS-ALD方法在精细模式和前体兼容性方面扎.
研究的目的:
- 引入基于超级网格的AS-ALD (SAS-ALD) 过程,以改善模式.
- 用2D MoS2-MoSe2横向超网格模板来展示10nm以下的分辨率.
- 探索一种基于前体吸附和扩散的新选择性机制.
主要方法:
- 作为预定义模板的2D MoS2-MoSe2横向超网格的制造.
- 控制的化学蒸汽沉积 (CVD) 前体持续时间,用于精确的图案.
- 在超格模板上应用AS-ALD以实现选择性材料沉积.
主要成果:
- 在2D超级网格上实现了AS-ALD的10nm以下的最低半场尺寸.
- 证明了一种与传统AS-ALD不同的新选择性机制.
- 成功地沉积了各种材料,包括Al2O3,HfO2,Ru,Te和Sb2Se3.
结论:
- SAS-ALD为高分辨率的选择性区域沉积提供了一个可行的解决方案.
- 该技术与活性前体兼容,并使多种材料沉积成为可能.
- 这一进步为下一代集成电路的性能提高铺平了道路.
