在高Mg注的氨热GaN中形成长进的空隙和间隙

Marcin Zajac1, Paweł Kaminski2, Roman Kozlowski2

  • 1Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.

PubMed
概括

这项研究首次揭示了添加化 (GaN) 水晶中的内在点缺陷. 这些缺陷被称为空隙和间隙,会影响材料的电特性.