活性充电双相刺激用于手术内单极审查的深度大脑刺激
David Mampre1, Min Jae Kim2, Tucker Oliver3
1Department of Neurosurgery, University of Florida, Gainesville, FL, United States.
Frontiers in human neuroscience
|March 14, 2024
概括
这项研究在深度大脑刺激 (DBS) 中比较了主动和被动充电,没有发现副作用值有显著差异. 这两种方法都适合在手术内使用,在DBS编程中提供灵活性.
科学领域:
- 神经外科 神经外科
- 生物医学工程 生物医学工程
- 神经调节是一种神经调节.
背景情况:
- 深度大脑刺激 (DBS) 使用电荷平衡来防止在组织电极接口上的神经损伤.
- 电荷平衡方法包括被动充电 (等待期) 和主动充电 (对称脉冲).
研究的目的:
- 在DBS中,在手术内单极性审查期间,比较主动和被动充电之间的副作用刺激值.
- 评估手术内值与后续编程参数的相关性.
主要方法:
- 对65名接受DBS治疗的患者进行了回顾性审查,其中16人符合纳入标准.
- 在手术内使用主动和被动充电技术进行单极检查.
- 术内发现与初始DBS编程访问数据的比较.
主要成果:
- 平均手术内值为4.1mA的积极充电和3.9mA的被动充电 (不具有统计学意义).
- 被动充电与跟踪值的相关性比主动充电更强,尽管这种差异在统计学上并不显著.
- 两种充电方法之间的刺激值没有发现显著差异.
结论:
- 积极充电和被动充电方法都与初始DBS编程有很好的相关性.
- 没有观察到副作用值的统计学上显著差异,这表明任何一种方法都可以在手术内使用.
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