在1T-TiSe2中引发了对角 (1 × 1) 边缘/表面重建的自间隙形成:原子尺度动力学和机械学研究研究

Daliang He1,2, Yonghui Zheng3, Degong Ding1

  • 1State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, Zhejiang 310027, P. R. China.

Nano letters
|March 18, 2024
PubMed
概括

研究人员使用原子级成像在脱化物 (TiSe2) 中发现了一个新的边缘/表面结构. 这一发现提供了关于修改二维过渡金属二甲基化物 (TMDCs) 性能的见解.