基于双散射器工程的芯片内制造耐受性的异常点
Jiewen Li1,2, Wanxin Li1,2, Yang Feng1,2
1State Key Laboratory on Tunable Laser Technology, Guangdong Provincial Key Laboratory of Integrated Photonic-Electronic Chip, Guangdong Provincial Key Laboratory of Aerospace Communication and Networking Technology, Harbin Institute of Technology, Xili University Town, Harbin Institute of Technology campus, Shenzhen, Guangdong 518055, China.
Nano letters
|March 20, 2024
概括
研究人员展示了一种紧的芯片上方法,以在微环共振器中实现异常点 (EP). 这种方法提高了制造容忍度,为集成的非赫米蒂安光子设备铺平了道路.
科学领域:
- 光子学 是一个光子学.
- 纳米技术 纳米技术
- 光学工程是指光学工程.
背景情况:
- 光学共振器中的异常点 (EP) 具有独特的光学特性.
- 由于对制造错误的敏感性,EPs的芯片上实现是困难的.
研究的目的:
- 提出一种紧的芯片上方法,用于在微环共振器中实现EP.
- 为了克服在实现芯片上EP的制造挑战.
主要方法:
- 使用两个不同直径的纳米来操纵反向散射.
- 从非EP国家到EP国家演变的理论分析和实验追踪.
主要成果:
- 开发了一种简洁而紧的芯片式方法来接触EP.
- 纳米圆柱体中增加的直径差异显著减轻了制造限制.
- 通过调整纳米位置来调整EP状态的实验演示.
结论:
- 拟议的方法为芯片上EP实现提供了一条可行的途径.
- 这项工作有助于高密度集成非赫米斯光子装置.
- 这种方法增强了对制造缺陷的强度.
