AgBiS2纳米结构在宽带和环保的光电子传感器任意基板上的增长模式

Yu Miao1, Zhuoran Wang1, Zhongming Wei2

  • 1School of Integrated Circuits and Electronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China. zhuoran.wang@bit.edu.cn.

Nanoscale
|March 21, 2024
PubMed
概括

这项研究介绍了一种新的低温制造方法,用于图案银硫化物 (AgBiS2) 纳米结构. 这种技术使高性能,灵活的光电探测器能够用于先进的成像应用.