化的等离子增强原子层沉积使用磁化非常高频等离子体
You Jin Ji1, Hae In Kim1, Ji Eun Kang1
1School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea.
Nanotechnology
|March 24, 2024
概括
一种新的磁化等离子增强原子层沉积 (PEALD) 工艺,使用二异氨基 (DIPAS) 和等离子改善化 (SiNx) 膜质量. 这种方法提高了高级半导体应用的增长率,密度,电气性能和步骤覆盖率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 等离子体物理学的物理学
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 高质量的化 (SiNx) 薄膜对于先进的半导体设备,如FinFET和图案处理过程至关重要.
- 现有的等离子增强原子层沉积 (PEALD) 方法需要优化,以获得更高的等离子密度和减少基质损伤.
- 对于SiNx PEALD工艺,需要新的前体和等离子体技术.
研究的目的:
- 开发一种新的磁化PEALD工艺,用于沉积高质量的SiNx薄膜.
- 研究磁化 (N2) 血对SiNx薄膜特性的影响.
- 为了比较磁化PEALD与传统非磁化PEALD的性能.
主要方法:
- 开发了一种使用二异氨基 (DIPAS) 和磁化N2等离子体在200°C的磁化PEALD工艺.
- 在等离子体暴露阶段应用外部磁场 (0-100 G).
- 分析了SiNx薄膜的特性,包括增长速度,表面粗度,密度,湿蚀阻力,电气特性和高面比沟上的阶段覆盖.
主要成果:
- 磁化PEALD由于增加了等离子体密度,实现了更高的生长率 (~1 Å/周期).
- 薄膜表现出较低的表面粗度,更高的密度,增强的湿蚀阻力,以及改进的电气性能 (更低的接口陷密度,更高的故障电压).
- 在30:1高比例沟上实现了超过98%的步骤覆盖率,优于非磁性等离子体.
结论:
- 磁性PEALD为高质量的SiNx薄膜提供了一个有前途的途径,在低基板温度下具有增强性能.
- 这些改进归因于磁化等离子体的更高的离子流和更低的离子能量,可能使更深的激素透.
- 这种技术适用于要求符合规格和强大的SiNx层的高要求半导体应用.
关键词:
这就是DIPAS.在N2等离子体中,N2等离子体这样一来,我们就有了二氧化 (di(isopropylamino) 烯.磁化等离子体磁化等离子体质增强原子层沉积的等离子体增强原子层沉积.化的化是什么?更多相关视频
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