对III-化物微支柱的KOH湿蚀表面被动化的分析研究
Matthew Seitz1, Jacob Boisvere1, Bryan Melanson1
1Microsystems Engineering, Rochester Institute of Technology, Rochester, NY 14623, USA.
iScience
|March 25, 2024
概括
氧化 (KOH) 湿蚀使III-化物微柱平滑,消除等离子体损伤,并为更好的微电子设备创建垂直侧墙.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- III-化物微支柱对于微型发光二极管和功率晶体管至关重要.
- 目前的制造方法 (反应性离子蚀刻) 会导致表面损伤和非垂直侧墙,降低性能.
研究的目的:
- 研究氧化 (KOH) 作为III-酸微柱的晶体蚀刻剂.
- 为了消除干燥蚀刻引起的表面损伤,并提高侧墙质量.
主要方法:
- 使用的氧化 (KOH) 湿蚀刻在III-化物微柱上.
- 不同的KOH溶液温度和度.
- 分析了蚀刻速率,侧墙质量和表面粗度.
主要成果:
- KOH优先蚀刻m平面,创建垂直的侧墙.
- 取得了高达36.6nm/min的蚀刻速度.
- 在90°C的20%AZ400K (2%KOH) 溶液中,产生了光滑的侧壁,RMS粗度低至2.59nm.
结论:
- KOH湿蚀有效地消除了III-化物微柱体的血蚀伤害.
- 优化的KOH蚀刻产生了光滑的,垂直的侧墙,对于先进的电子和光电子设备至关重要.
