探索创伤模式和贡献因素与耳植入后的苗条直线电极阵列后耳植入
Renato Torres1,2, Hannah Daoudi1,2, Wenxi Gu1,2,3
1Unité Fonctionnelle Implants Auditifs et Explorations Fonctionnelles, Service ORL, GHU Pitié-Salpêtrière, Assistance Publique-Hôpitaux de Paris (AP-HP)/Sorbonne Université, Paris, France.
概括
耳植入物电极插入可以引起创伤,56%的病例显示创伤模式. 更深的电极放置与风险增加有关,特别是在远距离和近距离的耳区域.
科学领域:
- 耳鼻喉科 耳鼻喉科 耳鼻喉科
- 神经外科 神经外科
- 生物医学工程 生物医学工程
背景情况:
- 耳植入器是严重到严重的听力损失的常见治疗方法.
- 侧壁电极阵列被广泛使用,但插入可以导致内创伤.
- 了解创伤模式对于改善手术技术和患者的治疗结果至关重要.
研究的目的:
- 为了研究与耳植入器中侧面壁电极阵列插入相关的创伤模式.
- 确定导致创伤插入的因素,重点关注相对于耳结构的电极位置.
主要方法:
- 对106名耳植入体接受者的回顾性分析.
- 分析电极阵列位置的三维重建 (大 tympani,中间,大 vestibuli).
- 手动和机器人插入技术的比较 (RobOtol®).
主要成果:
- 56%的插入被归类为创伤性.
- 与圆窗相比,第一个电极的更深的放置与创伤性插入有显著的相关性 (P=0.03).
- 在远距离和近距离的耳区域确定了不同的创伤模式.
结论:
- 中间电极位置可能与基底膜病变有关.
- 更深的电极阵列放置是内内创伤的独立风险因素.
- 更温和的插入技术和优化的插入深度可以减少外科创伤.
