通过抑制有机阴离子迁移的键抑制,提高锡基矿场效应晶体管的稳定性和性能

Wenshu Yang1, Kai Zhang1, Wei Yuan2,3

  • 1Key Laboratory of Automobile Materials of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China.

概括

基矿场效应晶体管 (FET) 中的键有效抑制离子迁移. 这一战略提高了操作稳定性和设备性能,为先进的电子设备铺平了道路.