通过抑制有机阴离子迁移的键抑制,提高锡基矿场效应晶体管的稳定性和性能
Wenshu Yang1, Kai Zhang1, Wei Yuan2,3
1Key Laboratory of Automobile Materials of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Jilin University, Changchun, 130012, P. R. China.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
|March 27, 2024
概括
基矿场效应晶体管 (FET) 中的键有效抑制离子迁移. 这一战略提高了操作稳定性和设备性能,为先进的电子设备铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电子工程 电子工程
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 离子迁移是矿晶体管中的一个关键问题,它会对设备的稳定性和歇斯底里产生负面影响.
- 在FASnI3场效应晶体管 (FET) 中的高背景载体密度与Sn2+氧化和FA+离子迁移有关.
研究的目的:
- 调查离子迁移对基矿FET性能的影响.
- 探索减轻离子迁移和增强设备稳定性的策略.
主要方法:
- 基于FASnI3的FET的制造和表征.
- 研究键在抑制离子迁移中的作用.
- 使用替代添加剂来提高设备的性能.
主要成果:
- 发现FA+和F-离子之间的键显著降低了离子迁移和背景载体密度.
- 加入4 - 甲基酸添加剂在循环测量中最大限度地降低了开启电压的变化.
- 实现了高性能指标:有效移动性高达30cm2V-1s-1和107.7的离子/关闭比率.
结论:
- 结合是一种可行的策略,可以提高基矿FET的稳定性和性能.
- 添加剂中的替代为开发可靠的矿电子设备提供了一个有前途的途径.
- 这些发现有助于提升用于电子应用的基矿.
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