Field Effect Transistor
Biasing of FET
MOSFET: Depletion Mode
MOSFET: Enhancement Mode
MOSFET
Characteristics of MOSFET
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Hakin Kim1, Doohyeok Lim1,2
1Department of Nano Electronic Convergence Engineering, Kyonggi University, Suwon 16227, Gyeonggi-do, Republic of Korea.
我们开发了使用内在半导体体体的新型无兴奋剂反场效应晶体管 (DLFBFET). 这些晶体管提供了出色的性能,包括高开/关比和的切换,不需要添加剂.
科学领域:
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主要成果:
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