在选择性激光蚀刻中,蚀刻对通过孔的缩角和选择性的影响

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 微型制造业的微型制造
• 半导体制造业 半导体制造业

背景情况:

• 玻璃插座对于3D集成电路 (IC) 非常重要,因为它们具有理想的电热性能.
• 产生透过玻璃通道 (TGV) 对于插座器的功能至关重要,但需要高效的制造方法.
• 选择性激光蚀刻 (SLE) 是创建TGV的一个有前途的技术,它结合了激光修饰和化学蚀刻.

研究的目的:

• 通过优化SLE中的化学蚀刻步骤来提高TGV形成的工艺速度.
• 通过比较四种不同的化学剂来确定TGV制造中最有效的蚀剂.
• 为了研究蚀刻剂类型和度对TGV缩角度的影响.

主要方法:

• 采用了选择性激光蚀刻 (SLE) 技术,包括用超短脉冲激光进行局部修改,随后进行化学蚀刻.
• 对比了四种蚀刻剂的性能:酸 (HF),氧化 (KOH),氧化 (NaOH) 和化 (NH4F).
• 使用选择性概念量化评估了蚀刻性能,并分析了由此产生的缩角度变化.

主要成果:

• 化 (NH4F) 在测试的蚀刻剂中表现出最高的选择性,这表明蚀刻效率优越.
• 通过玻璃通道的缩角度有显著的变化,这取决于所使用的蚀刻剂及其度.
• NH4F成为加速TGV制造的非常有前途的候选材料.

结论:

• 通过SLE工艺,NH4F是通过SLE工艺提高高铁制造速度和效率的有希望的蚀刻剂.
• 蚀刻剂的选择和度极大地影响高铁的收缩角,为控制孔几何提供了一种方法.
• 这些发现在需要精确控制玻璃组件中蚀刻特征的行业中具有潜在的应用.