MOS Capacitor
Ligand-Gated Ion Channel Receptor: Gating Mechanism
MOSFET: Enhancement Mode
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Haotian Guo1,2, Jing Guo1,2, Yujing Wang3
1Institute of Materials Research, Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen 518055, China.
研究人员开发了一种有机晶体管突触装置,具有挥发性和非挥发性内存. 这种人工突触装置显示可调整的可塑性和内存,为高效的神经形态计算铺平了道路.
科学领域:
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主要成果:
结论: