在CMOS兼容Si纳米型晶片上选择性增长GAP晶体,采用气体源分子束Epitaxy

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体物理 半导体物理
• 纳米技术 纳米技术

背景情况:

• 化 (GaP) 是一种III-V半导体,具有出色的光电子特性.
• 将GaP与 (Si) 集成对于先进的电子产品至关重要,但面临着重大挑战.
• 现有的方法在与Si上的GaP的单一和大规模集成方面扎.

研究的目的:

• 在纳米片上开发一种选择性增长GaP岛屿的方法.
• 为了实现GaP光电子设备与的单体集成.
• 为了实现GaP-on-Si纳米结构的可扩展制造.

主要方法:

• 采用了纳米异质表达的方法,利用气体源分子束表达.
• 在预制的Si纳米片上选择性地生长了GaP岛屿.
• 利用补充性金属氧化物半导体 (CMOS) 技术,在200毫米晶圆上制造Si nanotip.

主要成果:

• 在CMOS兼容Si晶片上成功生长了数百纳米尺寸的GaP岛屿.
• 种植的GaP岛屿显示了混合水晶阶段.
• 在光学和电子方面,GaP岛屿与高质量的表轴性GaP层相似.

结论:

• 纳米 heteroepitaxy 方法使得在Si nanotips 上成功的 GaP 岛屿生长.
• 这项技术代表了向GAP设备与Si纳米技术无集成迈出的重要一步.
• 这些发现为利用GaP和Si的可扩展,集成的光电子设备铺平了道路.