调查Si和Ge中由100keVAr+离子束诱导的波纹模式形成和损伤概况:一项比较研究

Indra Sulania1,2, Harpreet Sondhi3,4, Tanuj Kumar5

  • 1Inter University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, India.

概括

能量离子束在 (Si) 和 (Ge) 表面上产生纳米级的波纹图案. 这项研究详细介绍了模式形成和缺陷分析,揭示了波纹波长对离子流动的依赖.