Metal-Semiconductor Junctions
Fermi Level Dynamics
Scanning Electron Microscopy
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Kiyoung Jo1,2, Christopher E Stevens3,4, Bongjun Choi1
1Department of Electrical and Systems Engineering, University of Pennsylvania, Philadelphia, Pennsylvania 19104, United States.
观察到来自WSe2纳米泡的局部发射. 在WSe2-Au Schottky接口的强压电潜力将激子空间限制,使纳米和量子光子学能够控制局部发射.
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