二维单层BiSnO3:一种具有高稳定性和强烈紫外线吸收的新型宽带间隙半导体

Hongbo Wu1,2, Weizhen Meng2, Chunhui Zhu2

  • 1School of Science, Yangzhou Polytechnic Institute, Yangzhou 225127, People's Republic of China.

概括

我们发现了一种新的二维宽带间隙半导体,BiSnO3.3. 这种稳定和灵活的材料由于其独特的电子特性和UV光吸收,显示了先进光电子设备的潜力.