改进了基于AlGaN的近紫外线激光二极管中斜坡形孔屏蔽层和电子屏蔽层的设计
Maolin Gao1,2,3, Jing Yang1, Wei Jia2,3
1State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|April 12, 2024
概括
这项研究引入了近紫外线化 (GaN) 激光器的新型斜坡形孔屏障 (HBL) 和电子屏障 (EBL) 层. 这些结构有效地减少载体泄漏,提高激光性能和输出功率.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体物理 半导体物理
- 材料科学 材料科学 材料科学
背景情况:
- 电荷载体的注入和泄漏严重影响基于化 (GaN) 的激光器的性能.
- 现有的设计在管理电荷载体方面存在局限性,影响设备效率.
研究的目的:
- 提出和分析一种新的斜坡形孔屏障层 (HBL) 和电子屏障层 (EBL) 结构.
- 为了增强电荷载体的封闭性,并提高近紫外线 (NUV) GaN激光器的光电子性能.
主要方法:
- 使用交叉光 LASTIP软件进行理论分析和模拟.
- 研究了拟议的HBL和EBL结构的能量波段调制.
- 分析了对载体泄漏,注射效率和重组率的影响.
主要成果:
- 模拟证实,斜坡形的HBL和EBL有效调节能量波段.
- 显著抑制载体泄漏和提高载体注射效率.
- 在量子井内观察到刺激辐射重组率的增加.
结论:
- 拟议的斜坡形HBL和EBL结构有效降低值电流并增强激光输出功率.
- 这些结构在基于NUV GaN的激光器中带来了优越的电和光性能.
- 这种设计为推进GaN激光技术提供了一个有前途的方法.
