带对齐过渡和在垂直SnS2/MoS2中的增强性能 范德瓦尔斯光电探测器
Mingyu Shi1, Yanhui Lv1, Gang Wu1
1School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China.
ACS applied materials & interfaces
|April 16, 2024
概括
我们制造了二硫化物 (SnS2) 和二硫化物 (MoS2) 的范德瓦尔斯异质连接,用于光探测器应用. 应用门电压调整了频段对齐,使宽带光线检测具有增强的紫外线灵敏度.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 范德瓦尔斯材料具有强烈的光物质相互作用和自然被动化的表面,非常适合光探测器应用.
- 从这些材料中形成的异质连接对高性能光电子设备有希望.
研究的目的:
- 制造和研究锡二硫化物/二硫化物 (SnS2/MoS2) 范德瓦尔斯异质连接的光电特性.
- 探索频段对齐的调整性及其对光探测器性能的影响.
主要方法:
- 制造SnS2/MoS2范德瓦尔斯异质连接.
- 应用门电压来调整II型和I型之间的带对齐.
- 在不同的波长和偏移电压下进行光电测量.
主要成果:
- SnS2/MoS2异质连接表现出从 II 型到 I 型带对齐的过渡,并应用门电压 (过渡在 -25 V).
- 观察到紫外线区域的增强灵敏度和400至800纳米的宽带传感.
- 光电流和取决于门电压,偏差和光波长,这是由于带对齐过渡.
结论:
- 在SnS2 / MoS2异质连接中,门调节带对齐允许控制光电性质.
- 这些异质连接显示了宽带光检测器具有增强紫外线响应的潜力.
- 观察到的光电和为开发紧谱仪提供了一条途径.
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