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Guojing Hu¹, Hui Guo^1,2, Senhao Lv^1,2

¹Beijing National Center for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China.

Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

|April 17, 2024

概括

研究人员合成了室温铁磁Fe3GaTe2,实现了高基里温度和磁性异构性. 这使得用于数据存储和逻辑应用的具有厚度控制的反对称磁电阻的新型2D自旋电子设备成为可能.

关键词:

在Fe3GaTe2的基础上,Fe3GaTe2 反对称的磁电阻是反对称的.平面对称性破坏平面对称性破坏在室温温度下.范德瓦尔斯铁磁铁的铁磁铁

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科学领域:

凝聚物质物理学凝聚物质物理学
材料科学材料科学材料科学
纳米技术纳米技术

背景情况:

范德瓦尔斯 (vdW) 铁磁材料是2D自旋电子学的关键.
现有的vdW铁磁体具有较低的基里温度和较弱的磁性异构性.

研究的目的:

合成一个高质量的室温VDW铁磁铁.
研究合成材料中的新型磁阻现象.

主要方法:

用于Fe3GaTe2合成的化学蒸汽运输方法.
制造具有步骤特征的设备,以观察磁阻.

主要成果:

高品质的Fe3GaTe2 (c-Fe3GaTe2) 在356 K的基里温度 (Tc) 和大垂直磁性异构性下合成.
在c-Fe3GaTe2器件中观察到非常规的室温反对称磁电阻 (MR).
通过控制表面步骤高度来证明反对称MR的调制.

结论:

Fe3GaTe2 是一个有前途的室温VDW铁磁铁,用于二维自旋电子.
反对称MR为磁随机存储和逻辑设备提供了新的途径.
在c-Fe3GaTe2中控制厚度的MR使新的设备设计成为可能.