对于双面CdTe PV的层次透明后接触器
B Edward Sartor1,2, Teng Zhang3, Christopher P Muzzillo2
1New York University, Brooklyn, New York 11201, United States.
ACS energy letters
|April 18, 2024
概括
这项研究引入了使用先进材料和光刻技术的 telluride (CdTe) 太阳能电池的新型透明反接触. 新设计提高了无铜CdTe设备的效率和双面性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 太阳能光伏发电是如何实现的
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 透明的后接触对有效的太阳能电池性能至关重要.
- 无铜 Telluride (CdTe) 设备需要优化后接触策略.
- 现有的方法在平衡开通电路电压和填充因子方面面临挑战.
研究的目的:
- 开发和演示无铜CdTe太阳能电池的层次透明反接触.
- 为了研究AlGaO子字符被动化层和Ti子字符3子字符C子字符2子字符T子字符MXene中间层的作用.
- 评估新型接触设计的双面性能和效率.
主要方法:
- 使用AlGaO字符 ,Ti字符3字符C字符2字符T字符MXene,和透明破裂膜光刻 (CFL) 模板纳米网,制造一个层次的透明反接触.
- 将接触器集成到无铜,V组化CdTe设备上.
- 在单太阳和双照明条件下对设备性能的描述.
主要成果:
- AlGaO子代码层改善了开放电路电压,而Ti子代码3子代码C子代码2子代码T子代码中间层增强了填充因子和降低了舒特基障碍.
- 层次接触使CFL能够高效地金属化,提供横向导电.
- 双面CdTe设备的前侧效率达到了19.5%,后侧效率达到了2.8%.
- 双重照明 (前面1太阳,后面0.1太阳) 实现了200W/m超2超的发电.
结论:
- 经过证明的层次透明反接触显著提高了无铜CdTe太阳能电池的性能.
- 结合AlGaO字符,Ti字符3字符C字符2字符T字符和CFL纳米网是先进光伏设备的一个有前途的战略.
- 这种方法为增强双面能量收集和整体设备效率提供了潜力.
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