计算和分析基于互补的金属氧化物半导体的曲折式石墨烯纳米卷的时间延迟
Ali Sadeqian1, Mohammad Taghi Ahmadi2, Morteza Bodaghzadeh1
1Nanotechnology Research Center, Nanoelectronics Group, Physics Department, Urmia University, Urmia, 57147, Iran.
Scientific reports
|April 18, 2024
概括
采用CMOS技术的齐格扎格石墨烯纳米卷 (ZGNS) 可减少时间延迟,从而实现更快的集成电路. 工程几何参数,如度和长度增强开关速度和电路频率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米电子学纳米电子学
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 石墨烯纳米卷 (GNSs) 和齐格扎格石墨烯纳米卷 (ZGNSs) 具有独特的电和光学特性.
- 这些特性使得它们对纳米电子和补充金属氧化物半导体 (CMOS) 技术具有前景.
- 时间延迟是设计使用ZGNSs的CMOS设备的一个关键挑战.
研究的目的:
- 在CMOS技术中的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的通道区域中研究ZGNS的应用.
- 分析研究各种参数对减少基于ZGNS的MOSFETs时间延迟的影响.
- 展示基于ZGNS的CMOS设备如何在集成电路 (IC) 中实现更快的切换和更高的操作频率.
主要方法:
- 在CMOS技术中对基于ZGNS的MOSFET进行分析研究.
- 专注于晶体管的通道区域.
- 评估影响时间延迟的几何参数.
主要成果:
- 基于ZGNS的CMOS设备表现出显著的电流变化,受到几何参数的影响.
- 奇拉度数,通道长度和纳米滚动长度是影响性能的关键参数.
- 这些参数可以精确设计,以优化设备的速度.
结论:
- ZGNS有效地减少了基于CMOS的MOSFET的时间延迟.
- ZGNS的工程几何特性允许设计更快的集成电路.
- 这项研究突出了ZGNS在推进高频IC应用方面的潜力.
