在单个复合材料中,ZnGeAs2和MnAs相之间的 4:1的比率及其对结构驱动磁电阻的影响

T R Arslanov1, U Z Zalibekov1, G G Ashurov1

  • 1Amirkhanov Institute of Physics, Daghestan Federal Research Center, Russian Academy of Sciences, 367003 Makhachkala, Russia.

概括

这项研究揭示了ZnGeAs2-MnAs复合物的结构驱动磁电阻 (SDMR). 高压诱导结构转变,显著增强磁阻,改变电子性能.