碳丰富的等离子体沉积氧化碳化薄膜来源于4- ((Trimethylsilyl) morpholine作为一种新型单源前体
Evgeniya Ermakova1, Irina Tsyrendorzhieva2, Alexander Mareev2
1Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, SB RAS, 3 Acad. Lavrentiev Ave, Novosibirsk, 630090, Russia.
ChemPlusChem
|April 24, 2024
概括
这项研究探讨了4- ((trimethylsilyl) morpholine (TMSM) 作为氧化碳氧化 (SiCNO) 薄膜的前体. 合成的薄膜显示了电子设备中抗反射涂层和介电层的潜力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 薄膜沉积的情况
- 等离子体化学
背景情况:
- 氧化碳化物 (SiCNO) 薄膜对于先进的电子和光伏应用至关重要.
- 开发高效的单一来源前体是控制SiCNO薄膜特性的关键.
- 了解等离子体膜前体相互作用对于优化沉积过程至关重要.
研究的目的:
- 为了研究4- ((trimethylsilyl) morpholine (TMSM) 作为SiCNO薄膜合成的单一来源前体.
- 分析在各种气体混合物中TMSM分解过程中产生的等离子体物种.
- 描述产生的SiCNO薄膜的光学和电子特性.
主要方法:
- 合成SiCNO薄膜使用TMSM作为单源前体,并将He,H2和NH3作为载体气体.
- 光学发射光谱 (OES) 用于识别等离子体物种 (N2,CH,H,CN,CO).
- 薄膜性能的表征,包括折射率和带隙能量.
主要成果:
- OES证实了N2,CH,H,CN和CO物种在血中的存在.
- 与前身相比,CN和CO物种与薄膜中的碳度降低有关.
- 合成的薄膜的折射率在1.5到2.0之间,带隙在2.0到4.6 eV之间.
结论:
- TMSM是一种可行的SiCNO薄膜沉积的单一来源前体.
- 薄膜的特性表明它适合用于光电池中的反射涂层.
- 具有特征的SiCNO薄膜显示了在电子设备中作为介电层的使用潜力.
