Ni80Fe20/Molybdenum DisulfideCu

Shu Hsuan Su1, Tzu Tai Huang1, Bi-Rong Pan1

  • 1Department of Physics, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan.

概括

我们观察了NiFe/MoS2接口的室温旋转到充电转换,通过减少MoS2厚度和使用铜中间层来增强. 这推动了用于高效旋转到充电转换的自旋电子设备的开发.