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Updated: Jun 27, 2025
15:47
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
16.2K
在GaAs/Si (001) 基板上生长的变态InGaAs层的E频段InAs量子点微光盘激光器
Wenqian Liang1,2, Wenqi Wei2, Dong Han3
1School of Physics, South China Normal University, Guangzhou 510631, China.
Materials (Basel, Switzerland)
|April 27, 2024
概括
研究人员开发了第一个E频段 (1365nm) 印化物量子点 (QD) 微盘激光器,直接生长在基板上. 这一突破使得光子学和电信发射器的芯片内光源成为可能.
科学领域:
- 半导体物理 半导体物理
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 在上直接生长III-V量子点 (QD) 激光器对于光子集成电路 (PIC) 中的芯片内光源至关重要.
- 现有的研究重点是O,C和L频段的QD激光在上,而E频段的电信波长没有得到解决.
- 在上开发E波段QD激光器对于扩大光子学能力至关重要.
研究的目的:
- 为了展示第一个E频段 (1365nm) 印甲 (InAs) 量子点 (QD) 微盘激光器,在 (001) 基板上生长.
- 克服当前QD激光技术在上的局限性,用于扩展的电信波长.
- 为了为集成的光子电信发射器铺平道路.
主要方法:
- 采用III-V/IV混合双室分子束表 (MBE) 系统用于表生长.
- 在Si (001) 基板上制造微盘激光器件.
- 描述了制造的E频段InAs QD微盘激光器的光学性能.
主要成果:
- 成功展示了第一个E频段 (1365nm) InAs QD微盘激光器,直接生长在Si (001) 上.
- 在200K时达到0.424mW的光学值功率.
- 在200K时获得了1727.2的质量系数 (Q),用于微盘激光器件.
结论:
- 在上直接增长E波段InAs QD激光器的表轴生长是可行的.
- 这些结果代表了对芯片内光子电信发射器的重大进展.
- 这项工作为在扩展的电信波长上运行的集成光电子技术开辟了新的途径.
