老年人使用过和未使用过的GaAs样本的光学反应
Samuel Zambrano-Rojas1,2, Gerardo Fonthal3, Gene Elizabeth Escorcia-Salas2,4
1Grupo de Investigación en Física del Estado Sólido, Universidad de la Guajira, Rihoacha 440007, Colombia.
Micromachines
|April 27, 2024
概括
26多年来,表轴GaAs的老化造成了的空缺,影响了光学特性. 这些与兴奋剂杂质相关的缺陷达到高达10^17cm^-3.3的度.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 缺陷工程是什么?缺陷工程是什么?
背景情况:
- 长轴化 (GaAs) 是一种至关重要的半导体材料.
- 了解长期存储下的半导体缺陷演变对于设备可靠性至关重要.
- 用 (Ge) 和锡 (Sn) 进行兴奋剂可以影响材料性能.
研究的目的:
- 为了研究衰老对杂的表层GaAs的光学特性的长期影响.
- 为了识别和描述26年的储存过程中形成的缺陷.
- 为了将缺陷演变与Ge和Sn兴奋剂度相关联.
主要方法:
- 光发光 (PL) 和光反射 (PR) 光谱法用于分析光学响应.
- 样品在多个时间点进行了分析:1995年 (制造时),2001年和2021年.
- 缺陷分析侧重于氧气和兴奋剂杂质的影响.
主要成果:
- 老龄化导致空缺的形成,主要是空缺 (As空缺).
- 这些空缺创造了与L频段相关的深陷陷能量水平.
- 在26年的时间里,空缺的度达到了10^17cm^-3.
- 观察到空隙与Ge和Sn杂物形成复合物.
结论:
- 长期的衰老显著改变了表轴 GaAs 中的缺陷格局.
- 空隙是形成的主要缺陷类型,影响材料的电子结构.
- 衰老引起的缺陷和兴奋剂杂质之间的相互作用是材料降解的关键因素.
