在不评估错误网络的情况下,用于平面微条带传感器的传感区域特征的脱嵌入方法
Ugur C Hasar1, Hamdullah Ozturk2,3, Huseyin Korkmaz2
1Department of Electrical and Electronics Engineering, Gaziantep University, Gaziantep, 27310, Turkey. uchasar@gantep.edu.tr.
Scientific reports
|May 2, 2024
概括
一种新的去嵌入方法使用未校准的散射 (S-) 参数测量准确地描述了微条带传感器. 这种技术使用超材料和微条带传感器进行验证,提供无模糊的结果和高准确度.
科学领域:
- 电磁学和微波工程 电磁学和微波工程
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 传感器技术 传感器技术
背景情况:
- 对平面微条带传感器的准确表征对于设备性能至关重要.
- 传统的去嵌入方法通常需要广泛的校准或遭受符号模两可.
- 超材料和分环共振器 (SRR) 具有独特的电磁性质,需要精确的参数提取.
研究的目的:
- 提出一种新的去嵌入方法,用于确定微条带传感器传感区域的所有散射 (S-) 参数.
- 在不需要完全校准的情况下实现表征,只使用特定的标准.
- 为了验证方法的准确性,并克服先前技术中存在的标志模两可的问题.
主要方法:
- 使用反射线和非反射线标准 (直线和反转配置) 的未校准的S参数测量.
- 采用了微条带传感器传感区域的直接和反向配置.
- 通过提取二氧化基材料板和具有双重SRR的微条带传感器的S参数来验证该方法.
主要成果:
- 成功提取了超材料板和微条带传感器的S参数,没有符号模两可.
- 证明了高精度,根-平均-平方误差 (RMSE) 值与通过反射线校准技术相比较.
- 与文献中的其他去嵌入技术相比,对于关键的S参数实现了较低的RMSE值.
结论:
- 拟议的脱嵌入方法提供了一种准确而高效的方法来表征微条带传感器和元材料.
- 该技术消除了符号的模糊性,简化了散射参数的提取.
- 这种未校准的方法为传感器表征提供了一个实用的替代方案,特别是在复杂的电磁结构中.
