在聚焦电子束诱导的处理中侧墙角调整
Sangeetha Hari1,2, Willem F van Dorp1,3, Johannes J L Mulders4
1Department of Imaging Physics, Delft University of Technology, Lorentzweg 1, 2628CJ Delft, Netherlands.
Beilstein journal of nanotechnology
|May 7, 2024
概括
聚焦电子束诱导沉积 (FEBID) 结构现在具有使用新的FEBID和蚀刻技术的垂直侧墙. 这种方法可以精确控制侧墙角,克服传统FEBID制造的局限性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 聚焦电子束诱导沉积 (FEBID) 通常会导致侧墙倾斜的结构.
- 倾斜的侧墙对于需要精确的3D纳米架构的应用而言是有问题的,特别是在相互连接的系统中.
研究的目的:
- 开发和演示一种用于制造具有垂直侧墙的FEBID结构的新技术.
- 通过FEBID和聚焦电子束诱导蚀刻 (FEBIE) 方法来研究侧墙角度的控制.
主要方法:
- 使用一种双重方法,将FEBID用于沉积和FEBIE用于蚀刻.
- 使用水作为碳基FEBID结构的蚀刻剂.
- 使用传输电子显微镜 (TEM) 和现场扫描电子显微镜 (SEM) 分析蚀刻结构.
主要成果:
- 通过控制电子束的蚀刻位置,实现可调节的侧墙角度,从外向到内向,通过控制电子束的蚀刻位置.
- 观察到意外的下蚀刻,归因于沉积物和基板的二次电子排放.
- 开发了一种分析模型来解释观察到的地下蚀刻现象.
结论:
- 结合FEBID和FEBIE技术,可以精确控制纳米结构中的侧壁几何.
- 二次电子排放在蚀刻过程中起着至关重要的作用,导致复杂的侧墙形状.
- 这种方法可以制造出高级应用所必需的高比例纳米结构.
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