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Updated: May 6, 2026
07:46
A Method for Growing Bio-memristors from Slime Mold
Published on: November 2, 2017
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高度可靠的磁性基于记忆的物理非克隆功能
Jaimin Kang1, Donghyeon Han1, Kyungchul Lee2
1Department of Material Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-road, Yuseong-gu, Daejeon 34141, Korea.
ACS nano
|May 8, 2024
概括
研究人员使用磁随机存储器 (MRAM) 开发了新的安全设备,称为基于MRAM的物理不可克隆函数 (PUF). 这些MRAM-PUF显示出高可靠性和对攻击的弹性,为安全的计算应用铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学与工程 材料科学与工程
- 电气工程 电气工程
- 计算机科学与工程 计算机科学与工程
背景情况:
- 磁性随机访问存储器 (MRAM) 提供具有高耐久性和商业可行性的非易失性存储器.
- MRAM应用正在扩展到新的计算范式,如内存计算和概率比特.
- 物理非克隆功能 (PUF) 对于硬件安全至关重要,它利用了设备的独特特性.
研究的目的:
- 开发基于MRAM的高度可靠的物理非克隆功能 (PUF).
- 为了安全应用,利用纳米级垂直磁道连接 (MTJs).
- 评估拟议的MRAM-PUF的性能和安全稳定性.
主要方法:
- 制造纳米级垂直磁道连接 (MTJs).
- 反铁磁合的参考层的磁化方向的故意随机化.
- 严格测试挑战-响应对 (1584对,每位64位) 在广泛的温度范围内 (-40到+150°C).
主要成果:
- 通过随机化MTJ参考层磁化,成功创建了一个基于MRAM的新型PUF.
- 证明了MRAM-PUF的理想统一性和独特性.
- 在扩展的温度范围内保持高性能,并证实对机器学习攻击的弹性.
结论:
- 基于MRAM的PUF为硬件安全提供了高度可靠和安全的解决方案.
- 经过证明的性能和弹性,加上MRAM的商业成熟度,促进了MRAM-PUF的实施.
- 这项工作使下一代计算系统中的高级安全功能成为可能.
