多层电阻开关在水热合成FeWO薄膜基的memristive设备用于非挥发性内存应用程序
Amitkumar R Patil1, Tukaram D Dongale2, Rupesh S Pedanekar1
1Electrochemical Materials Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur 416004, India.
Journal of colloid and interface science
|May 9, 2024
概括
铁酸 (FeWO4) 记忆器件显示出稳定,多层次的性能,用于非挥发性记忆. 这些设备具有双极电阻切换和负差电阻,突出显示了它们对高级内存应用的潜力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 记忆器对于非挥发性和神经形态系统至关重要,因为它们的耐用性,多位存储,速度和低能耗.
- 铁酸 (FeWO4) 被探索为制造记忆器件的材料.
研究的目的:
- 为了研究水热合成铁酸 (FeWO4) 基薄膜记忆装置的电阻切换 (RS) 特性.
- 分析制造的设备的物理化学特性和记忆行为.
主要方法:
- FeWO4 薄膜的水热合成.
- 使用瑞特维尔德的精炼,XPS,FE-SEM和TEM进行物理化学分析.
- Ag/FWO/FTO记忆装置的制造和特征.
- 对电阻切换,耐久性,保留和导电机制的分析.
- 使用韦布尔分布和时间序列分析进行可靠性分析.
主要成果:
- Ag/FWO/FTO装置显示了双极电阻切换 (BRS) 和负差电阻 (NDR).
- 电荷流量关系证实了记忆性的性质.
- 观察到稳定和多层次的耐力和保留特征.
- 欧姆和陷控制的空间电荷有限电流 (TC-SCLC) 机制主导了电流传导,丝状RS负责BRS.
结论:
- 基于铁酸的记忆装置对高密度非易失性记忆应用具有有前途的特性.
- 这项研究证实了铁酸盐在制造高效的记忆器件方面的潜力.


