碳纳米管在化涂层平面和3D打印基板上的现场排放
Stefanie Haugg1, Luis-Felipe Mochalski1, Carina Hedrich1
1Center for Hybrid Nanostructures (CHyN), Universität Hamburg, 22761 Hamburg, Germany.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|May 10, 2024
概括
化 (TiN) 涂层通过改善电子供应和散热来增强碳纳米管 (CNT) 场辐射. 这种方法使得在各种基板,包括3D结构上的高效场发射器成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面工程是什么?表面工程是什么?
背景情况:
- 碳纳米管 (CNT) 提供了优良的场辐射 (FE) 性能,但受到基板导电性和散热的限制.
- 劣质基板限制了CNT的电子供应,由于键降解,降低了FE电流和发射器寿命.
研究的目的:
- 通过解决基质限制,提高CNT现场排放性能.
- 开发一种多功能制造方法,用于各种基板上的高效场发射器,包括绝缘和3D结构.
主要方法:
- 在CNT生长之前,在各种基质上使用等离子增强原子层沉积 (PEALD) 沉积温度稳定的化 (TiN).
- 通过原子层沉积 (ALD) 将制造过程从散装基板转移到独立的纳米膜和3D打印的微结构.
主要成果:
- 与原始基板相比,在TiN涂层基板上种植的CNT中,观察到化现场的显著减少 (高达59%).
- 这些改善仅归因于TiN层,而CNT形态没有显著变化.
- 成功地将ALD-CNT生长技术应用于绝缘纳米膜和3D打印的结构.
结论:
- TiN涂层通过克服基板导电性和热管理问题,有效地增强了CNT场辐射.
- 原子层沉积 (ALD) 与CNT生长相结合,提供了一种可扩展和适应的方法,用于在复杂的3D支架上制造高性能场发射器.
