氧化接口层使所有固态薄膜电池具有高性能
Shiping Ma1, Kaiyuan Wei2, Yu Zhao1
1Laboratory of Electrochemical Power Sources, Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics Mianyang Sichuan 621000 P. R. China cuiyanhua@netease.com.
RSC advances
|May 14, 2024
概括
无形氧化 (V2O5) 薄膜通过增强界面动力学和抑制侧面反应来改善全固态薄膜电池. 这提高了基于氧化 (LiCoO) 的设备的循环和速率性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电化学 电化学 电化学
- 储能 储能 储能 储能 储能 储能
背景情况:
- 氧化 (LiCoO2) 是所有固态薄膜电池 (TFB) 的关键材料,因为它的能量密度和电压很高.
- 在LiCoO2和LiPON电解质之间的接口问题阻碍了TFB的性能,导致副作用和降解.
研究的目的:
- 研究使用无形氧化 (V2O5) 作为基于LiCoO2的TFB中的接口层.
- 为了增强接口动力学,抑制副作用反应,并提高这些固态电池的整体性能.
主要方法:
- 使用磁子喷射制造全固态TFB的制造.
- 在LiCoO2阴极和LiPON电解质之间加入无形V2O5接口层.
- 界面特性,电化学性能和循环稳定性的表征.
主要成果:
- 介面层V2O5促进了离子运输,并减少了电化学氧化还原极化.
- V2O5有效地抑制了LiCoO2和LiPON之间的有害副作用.
- 优化的5纳米V2O5层显著降低了界面电阻 (Rct),提高了放电能力和增强了循环稳定性 (1000个循环后75.6%的保留率).
结论:
- 无形V2O5作为基于LiCoO2的TFB的有效接口修饰器.
- V2O5层增强了离子运输动力学,并减轻了接口降解.
- 这种方法为开发高性能全固态薄膜电池提供了一个有前途的战略.


